纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
- 作者
- Sandip Kundu
- 出版社
- 科学出版社 版次：第1版
- 出品方
- 科学出版社
- 语言
- 简体中文
- 页数
- 261页
- 装帧
- 平装
- ISBN
- 9787030400345
- 重量
- 422 g
- 尺寸
- 23.8 x 17 x 1.4 cm
- 电子书格式
- epub,pdf,txt,azw3,mobi,fb2,djvu
- 下载次数
- 3977
- 更新日期
- 2023-04-08
《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》共分8章,内容包括当前 CMOS VLSI设计的技术趋势,半导体制造的前期技术,当前和未来 CMOS器件中的工艺参数偏差及其影响,通过版图分析实现光刻控制的基本原理及重要的光刻参数和概念,半导体制造中出现的多种制造缺陷,粒子缺陷和基于图形的缺陷对电路工作性能的影响,可靠性问题的表现及其影响,CAD工具和方法的变化等｡《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》的目的是将读者引入可制造性和可靠性设计的世界,我们将重点更多地放在原理和概念上,而非每个主题的细节｡每章的最后都有参考文献,供读者进行更深入的学习｡为了理解《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》的内容,读者需要对 VLSI设计原则有一定的了解,包括标准单元库的特征化和物理版图的发展｡
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