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本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅
本标准规定了利用积分球仪测量铝及铝合金表面的总反射和漫反射特性的方法。本方法也适用于镜面反射,镜面反射值和漫反射值的测量。
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本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。
本标准所包含的规定条文,通过在本标准中引用而成为本标准的规定条文。严格履行本标准规定条文。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成
《电声学 倍频程和分数倍频程滤波器(GB/T 3241-2010)》的附录A、附录B、附录C和附录D为资料性附录。《电声学 倍频程和分数倍频程滤波器(GB/T 3241-2010)》适用于三种等级的滤
《奖励、纪律处分信息分类与代码(第1部分):奖励代码(GB/T 8563.1-2005)》的附录A为资料性附录。由中国标准化研究院提出并归口。中国标准化研究院、中共中央组织部信息管理中心、人事部人事信
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《奖励、纪律处分信息分类与代码(第2部分):荣誉称号和荣誉奖章代码(GB/T 8563.2-2005)》的附录A为资料性附录。本部分由中国标准化研究院提出并归口。本部分起草单位:中国标准化研究院、中共
《奖励、纪律处分信息分类与代码(第3部分):纪律处分代码(GB/T 8563.3-2005)》由中国标准化研究院提出并归口,中国标准化研究院、中共中央组织部信息管理中心、人事部人事信息中心、劳动和社会
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