本论著基于射频功率新理论，以硅基双极微波功率新型器件研制为突破点，对硅基外延材料选定、器件结构设计、关键技术开发、复杂电学特性优化等难点进行系统分析，为解决此类器件在热、电、可靠性等复杂问题提供一种有效的设计方法学。最后本论著报道了SiGe-HBT、RF-LDMOS、氮化镓GaN基AlGaN/GaN HEMTs等新型射频功率器件在理论、器件设计等方面的最新发展动态。
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