半导体封装用键合金丝(GB/T 8750-2014)

《中华人民共和国国家标准:半导体封装用键合金丝(GB/T 8750-2014)》按照GB／T 1.1—2009给出的规则起草。本标准代替GB／T 8750—2007《半导体器件键合用金丝》。本标准与原标准相比，主要有如下变化：——标准名称更改为“半导体封装用键合金丝”，英文“Gold bonding wire for semiconductor package”； ——范围修改为“本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合金丝（以下简称金丝）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、质量证明书、合同（或订货单）等内容。本标准适用于半导体封装用键合金丝。”； ——产品分类中，根据不同封装弧高范围进行了用途说明； ——删除D—Y型金丝，增加两种型号金丝AG2和AG3； ——直径规格增加了0.014mm、0.016mm、0.017mm、0.019mm、0.021mm、0.022mm、0.024mm、0.026mm、0.027mm、0.028mm、0.029mm、0.033mm、0.043mm、0.044mm和0.045mm等规格； ——增加了产品标记示例； ——删除了尺寸允许偏差中200mm的重量允许范围，增加1m金丝重量允许范围列表，并增加了重量计算规定； ——金丝力学性能增加了同一直径下不同型号半硬态金丝最小拉断力和伸长率范围，删除了硬态和软体的最小拉断力参数； ——增加取样规定，对具体性能取样要求细化； ——增加附录A，金丝弧高测试方法； ——增加附录B，金丝表面典型缺陷； ——附录E中金丝卷曲试验检验方法增加了卷曲试验检验方法2。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC／TC243）归口。 本标准起草单位：北京达博有色金属焊料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、浙江佳博科技股份有限公司、山东科大鼎新电子科技有限公司。

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