《新型衬底上的蓝/白光LED外延材料与芯片》主要讨论目前在新型衬底材料上高效率LED材料与器件方面的研究进展,并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。主要内容包括:采用一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底(主要包括金属W与Cu、Si、及LiGaO2等)来生长氮化物LED外延材料;还为非极性氮化物LED材料的生长提出了一个新的衬底/外延体系(m-GaN//LiGaO2(100));通过软件仿真模拟图形衬底LED的出光规律,提出了新的LED图形衬底设计方案,设计出了大量的拥有自主知识产权的图形衬底图案(专利授权);并在此基础上,试图将图形衬底技术与更适合氮化物LED外延生长的新型衬底相结合,大幅度提高了LED的出光效率。
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